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MMRF1310HR5

MMRF1310HR5

참조 용

부품 번호 MMRF1310HR5
PNEDA 부품 번호 MMRF1310HR5
설명 FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,398
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1310HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1310HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1310HR5, MMRF1310HR5 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 565.21 KB)
PDFMMRF1310HSR5 데이터 시트 표지
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MMRF1310HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수230MHz
이득26.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력300W
전압-정격133V
패키지 / 케이스NI780-4
공급자 장치 패키지NI-780-4

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M/A-Com Technology Solutions

시리즈

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주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

11.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

180W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

100MHz

이득

16dB

전압-테스트

10V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

11.5dB

전압-테스트

7.5V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

8W

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

PTFA260451E V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.68GHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-30265-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

952.5MHz ~ 957.5MHz

이득

20dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

38W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

LDMOST

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