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MMRF1318NR1

MMRF1318NR1

참조 용

부품 번호 MMRF1318NR1
PNEDA 부품 번호 MMRF1318NR1
설명 FET RF 110V 450MHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,410
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF1318NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF1318NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF1318NR1, MMRF1318NR1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 627.85 KB)
PDFMMRF1318NR1 데이터 시트 표지
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MMRF1318NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수450MHz
이득22dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력300W
전압-정격110V
패키지 / 케이스TO-270-4
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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시리즈

-

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이득

11.7dB

전압-테스트

9.6V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

7.5W

전압-정격

36V

패키지 / 케이스

TO-271AA

공급자 장치 패키지

PW-X

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

857MHz ~ 863MHz

이득

20.2dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

270W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.16GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

38W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230

공급자 장치 패키지

NI-1230

VRF2933FL

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

30MHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

42A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

300W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

M177

공급자 장치 패키지

M177

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.88GHz ~ 1.91GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

24W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S-4

공급자 장치 패키지

NI-780S-4

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