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MMRF2010GNR1

MMRF2010GNR1

참조 용

부품 번호 MMRF2010GNR1
PNEDA 부품 번호 MMRF2010GNR1
설명 TRANS RF LDMOS 250W 50V
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,754
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMRF2010GNR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMRF2010GNR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MMRF2010GNR1, MMRF2010GNR1 데이터 시트 (총 페이지: 21, 크기: 997.24 KB)
PDFMMRF2010GNR1 데이터 시트 표지
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MMRF2010GNR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.09GHz
이득32.1dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트80mA
전원-출력250W
전압-정격100V
패키지 / 케이스TO-270-14 Variant, Gull Wing
공급자 장치 패키지TO-270 WB-14 GULL

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1244C

공급자 장치 패키지

CDFM6

CGHV35400F

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.9GHz ~ 3.5GHz

이득

11dB

전압-테스트

45V

전류 정격 (Amps)

24A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

455W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440210

공급자 장치 패키지

440210

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

15.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

580W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1258-7

공급자 장치 패키지

SOT-1258-7

ARF443

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

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ESD5V0D3-TP

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