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MMST6427-7-F

MMST6427-7-F

참조 용

부품 번호 MMST6427-7-F
PNEDA 부품 번호 MMST6427-7-F
설명 TRANS NPN DARL 40V 0.5A SC70-3
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 27,840
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMST6427-7-F 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMST6427-7-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MMST6427-7-F, MMST6427-7-F 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 85.21 KB)
PDFMMST6427-7 데이터 시트 표지
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  • MMST6427-7-F Distributor

MMST6427-7-F 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
트랜지스터 유형NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 500µA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)1μA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20000 @ 100mA, 5V
전력-최대200mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지SOT-323

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800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 15mA, 150mA

전류-수집기 차단 (최대)

35nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Rohm Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.2mA, 600mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

1000 @ 500mA, 3V

전력-최대

1W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

700mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

400mV @ 20mA, 200mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 2V

전력-최대

800mW

주파수-전환

50MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SA933ASTPQ

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

전력-최대

300mW

주파수-전환

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작동 온도

150°C (TJ)

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Through Hole

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 400mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

1μA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 4A, 1V

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