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MMSZ5240B-G3-08

MMSZ5240B-G3-08

참조 용

부품 번호 MMSZ5240B-G3-08
PNEDA 부품 번호 MMSZ5240B-G3-08
설명 DIODE ZENER 10V 500MW SOD123
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,618
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMSZ5240B-G3-08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMSZ5240B-G3-08
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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MMSZ5240B-G3-08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)10V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)17 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

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전류-역방향 누설 @ Vr

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작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

43V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 32.65V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

BZW03C36-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

1.85W

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SOD-64, Axial

공급자 장치 패키지

SOD-64

BZV55C5V1 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

35 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

Mini MELF

1N5951D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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