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MMSZ5256BT3

MMSZ5256BT3

참조 용

부품 번호 MMSZ5256BT3
PNEDA 부품 번호 MMSZ5256BT3
설명 DIODE ZENER 30V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMSZ5256BT3 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMSZ5256BT3
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
MMSZ5256BT3, MMSZ5256BT3 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 229.54 KB)
PDFMMSZ5256CT1G 데이터 시트 표지
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MMSZ5256BT3 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)49 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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공차

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

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Microsemi

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

2.3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5372E3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±20%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

42 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 44.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

1N5736D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

200nA @ 7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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