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MPS2369AG

MPS2369AG

참조 용

부품 번호 MPS2369AG
PNEDA 부품 번호 MPS2369AG
설명 TRANS NPN 15V 0.2A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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MPS2369AG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MPS2369AG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MPS2369AG, MPS2369AG 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 41.16 KB)
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MPS2369AG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 10mA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)400nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce20 @ 100mA, 1V
전력-최대625mW
주파수-전환-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 1A, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

75MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SB1218AQL

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 2mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

80MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SMini3-G1

2N336

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN + Zener

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74, SOT-457

공급자 장치 패키지

6-TSOP

KSP44TF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

300mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

750mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 10V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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