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MPSH10

MPSH10

참조 용

부품 번호 MPSH10
PNEDA 부품 번호 MPSH10
설명 RF TRANS NPNUHF/VHF
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 견적 요청
재고 있음 3,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MPSH10 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MPSH10
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MPSH10, MPSH10 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 453.64 KB)
PDFMPSH10 데이터 시트 표지
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MPSH10 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)25V
주파수-전환650MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

이득

19dB

전력-최대

175mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

PG-SOT323-3

PH1090-550S

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.06dB

전력-최대

550W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MPSH10RLRA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

25V

주파수-전환

650MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MAX2602ESA+

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

이득

11.6dB

전력-최대

6.4W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.2A

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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