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MPSW63G

MPSW63G

참조 용

부품 번호 MPSW63G
PNEDA 부품 번호 MPSW63G
설명 TRANS PNP DARL 30V 0.5A TO92
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 3,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MPSW63G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MPSW63G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
MPSW63G, MPSW63G 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 99.89 KB)
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MPSW63G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 100µA, 100mA
전류-수집기 차단 (최대)100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce10000 @ 100mA, 5V
전력-최대1W
주파수-전환125MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92 (TO-226)

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

5µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

350mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

500V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 10mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 50mA, 10V

전력-최대

2W

주파수-전환

60MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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SOT-223

MMBT3904LT3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

전력-최대

300mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BUV27

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

12A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

120V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 800mA, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

85W

주파수-전환

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FZT751TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

600mV @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 500mA, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

140MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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