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MR48V256ATAZBARL

MR48V256ATAZBARL

참조 용

부품 번호 MR48V256ATAZBARL
PNEDA 부품 번호 MR48V256ATAZBARL
설명 IC FRAM 256K PARALLEL 28TSOP I
제조업체 Rohm Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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MR48V256ATAZBARL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MR48V256ATAZBARL
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
MR48V256ATAZBARL, MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 176.44 KB)
PDFMR48V256ATAZBARL 데이터 시트 표지
MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 2 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 3 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 4 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 5 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 6 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 7 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 8 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 9 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 10 MR48V256ATAZBARL 데이터 시트 페이지 11

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MR48V256ATAZBARL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FRAM
기술FRAM (Ferroelectric RAM)
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지150ns
접근 시간70ns
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지28-TSOP I

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

CY7C1354SV25-166AXCT

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제조업체

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시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.5ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

70914S20J

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제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

36Kb (4K x 9)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

68-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

68-PLCC (24.21x24.21)

MT49H16M36BM-33:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (16M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

300MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

144-TFBGA

공급자 장치 패키지

144-µBGA (18.5x11)

24AA64T-E/OT

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

900ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-74A, SOT-753

공급자 장치 패키지

SOT-23-5

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