MR856G
참조 용
| 부품 번호 | MR856G |
| PNEDA 부품 번호 | MR856G |
| 설명 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 17,028 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MR856G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MR856G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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MR856G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Standard |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 600V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.25V @ 3A |
| 속도 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 300ns |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 600V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | - |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | DO-201AA, DO-27, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | DO-201AD |
| 작동 온도-접합 | -65°C ~ 125°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Comchip Technology 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 30V 전류-평균 정류 (Io) 200mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 200mA 속도 Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed 역 복구 시간 (trr) 5ns 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 25V 커패시턴스 @ Vr, F 10pF @ 1V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 2-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 0603/SOD-523F 작동 온도-접합 125°C (Max) |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 400V 전류-평균 정류 (Io) 700mA 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.08V @ 700mA 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 780ns 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F 5pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 MicroSMP 공급자 장치 패키지 MicroSMP 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 5A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 2V @ 5A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 20ns 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지 TO-263AB (D²PAK) 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 600V 전류-평균 정류 (Io) 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 3A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지 DO-201AD 작동 온도-접합 -55°C ~ 150°C |
제조업체 GeneSiC Semiconductor 시리즈 - 다이오드 유형 Standard, Reverse Polarity 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 70A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 70A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis, Stud Mount 패키지 / 케이스 DO-203AB, DO-5, Stud 공급자 장치 패키지 DO-5 작동 온도-접합 -65°C ~ 180°C |
