MRF19045LSR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF19045LSR3 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF19045LSR3 |
| 설명 | FET RF 65V 1.93GHZ NI-400S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,696 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF19045LSR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF19045LSR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF19045LSR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.93GHz |
| 이득 | 14.5dB |
| 전압-테스트 | 26V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 550mA |
| 전원-출력 | 9.5W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-400S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-400S-240 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 20.8dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 40W 전압-정격 66V 패키지 / 케이스 NI-780S 공급자 장치 패키지 NI-780S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 960MHz 이득 18dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 125mA 전원-출력 10W 전압-정격 68V 패키지 / 케이스 TO-270BA 공급자 장치 패키지 TO-270-2 GULL |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.45GHz 이득 15.2dB 전압-테스트 32V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 280W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 OM-780-2G 공급자 장치 패키지 OM-780-2 Gull |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 pHEMT FET 주파수 3.55GHz 이득 11.5dB 전압-테스트 12V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 55mA 전원-출력 3W 전압-정격 15V 패키지 / 케이스 PLD-1.5 공급자 장치 패키지 PLD-1.5 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.88GHz 이득 16.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 1µA 소음 수치 - 현재-테스트 750mA 전원-출력 100W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 PG-64248-2 |
