MRF1K50N-TF4
참조 용
| 부품 번호 | MRF1K50N-TF4 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF1K50N-TF4 |
| 설명 | MRF1K50N-TF4 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,156 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 21 - 6월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF1K50N-TF4 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF1K50N-TF4 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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MRF1K50N-TF4 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.8MHz ~ 500MHz |
| 이득 | 23dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | 10µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 100mA |
| 전원-출력 | - |
| 전압-정격 | 133V |
| 패키지 / 케이스 | OM-1230-4L |
| 공급자 장치 패키지 | OM-1230-4L |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.5GHz 이득 16.5dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 2A 전원-출력 240W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지 H-33288-2 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 900MHz ~ 930MHz 이득 19dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 2.8µA 소음 수치 - 현재-테스트 90mA 전원-출력 500W 전압-정격 114.5V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2GHz 이득 11dB 전압-테스트 13.6V 전류 정격 (Amps) 5A 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 10W 전압-정격 40V 패키지 / 케이스 PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) 공급자 장치 패키지 PowerSO-10RF (Formed Lead) |
