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MRF21030LR5

MRF21030LR5

참조 용

부품 번호 MRF21030LR5
PNEDA 부품 번호 MRF21030LR5
설명 FET RF 65V 2.14GHZ NI-400
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,372
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 28 - 2월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF21030LR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF21030LR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF21030LR5, MRF21030LR5 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 743.09 KB)
PDFMRF21030LR3 데이터 시트 표지
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MRF21030LR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.14GHz
이득13dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트250mA
전원-출력30W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-400
공급자 장치 패키지NI-400

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

440MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2mA

전원-출력

210W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1138-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.62A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.5A

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.805GHz ~ 1.88GHz

이득

16.7dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

192W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

ACP-1230S-4L2S

공급자 장치 패키지

ACP-1230S-4L2S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.034GHz

이득

19.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

112V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

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