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MRF281SR1

MRF281SR1

참조 용

부품 번호 MRF281SR1
PNEDA 부품 번호 MRF281SR1
설명 FET RF 65V 1.93GHZ NI-200S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,038
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF281SR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF281SR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF281SR1, MRF281SR1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 415.95 KB)
PDFMRF281ZR1 데이터 시트 표지
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MRF281SR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz
이득12.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트25mA
전원-출력4W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-200S
공급자 장치 패키지NI-200S

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

4GHz

이득

16dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

97mA

소음 수치

0.45dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

11dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

M04

PTFA081501F V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-31248-2

NE4210S01

CEL

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

12GHz

이득

13dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

0.5dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD

공급자 장치 패키지

SMD

2N5485

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

400MHz

이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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TQ2SA-5V

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ACS723LLCTR-40AU-T

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LTV-817S-TA1-D

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CS5173EDR8G

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DALC208SC6

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BYG10D-E3/TR

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