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MRF282ZR1

MRF282ZR1

참조 용

부품 번호 MRF282ZR1
PNEDA 부품 번호 MRF282ZR1
설명 FET RF 65V 2GHZ NI-200Z
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,508
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF282ZR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF282ZR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF282ZR1, MRF282ZR1 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 552.05 KB)
PDFMRF282SR1 데이터 시트 표지
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MRF282ZR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2GHz
이득11.5dB
전압-테스트26V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트75mA
전원-출력10W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-200Z
공급자 장치 패키지NI-200Z

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

750mW

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

16-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

16-HVSON (6x4)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

11dB

전압-테스트

12V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

80mA

전원-출력

4.5W

전압-정격

15V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

MWT-A973

Microwave Technology Inc.

제조업체

Microwave Technology Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

MESFET

주파수

500MHz ~ 18GHz

이득

6.5dB

전압-테스트

3V

전류 정격 (Amps)

120mA

소음 수치

1.8dB

현재-테스트

30mA

전원-출력

24.5dBm

전압-정격

5V

패키지 / 케이스

Nonstandard SMD

공급자 장치 패키지

73

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

17dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

29A

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

14W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

MRF9210R5

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

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