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MRF372R3

MRF372R3

참조 용

부품 번호 MRF372R3
PNEDA 부품 번호 MRF372R3
설명 FET RF 68V 863MHZ NI-860C3
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,992
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF372R3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF372R3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF372R3, MRF372R3 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 928.99 KB)
PDFMRF372R3 데이터 시트 표지
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MRF372R3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수857MHz ~ 863MHz
이득17dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)17A
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력180W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-860C3
공급자 장치 패키지NI-860C3

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

29W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

ATF-38143-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

16dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

145mA

소음 수치

0.4dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

12dBm

전압-정격

4.5V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.4GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

SOT-979A

공급자 장치 패키지

NI-1230-4H

MAGX-002731-180L0S

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

11.8dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

215W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

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