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MRF553GT

MRF553GT

참조 용

부품 번호 MRF553GT
PNEDA 부품 번호 MRF553GT
설명 RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF553GT 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF553GT
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MRF553GT, MRF553GT 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 140.33 KB)
PDFMRF553T 데이터 시트 표지
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MRF553GT 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)16V
주파수-전환175MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득11.5dB
전력-최대3W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 250mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)500mA
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Power Macro
공급자 장치 패키지Power Macro

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

주파수-전환

175MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

10dB

전력-최대

7W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.3dB @ 1GHz ~ 2GHz

이득

-

전력-최대

300mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

2SC5066-O,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

이득

-

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-75, SOT-416

공급자 장치 패키지

SSM

MS2608

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

2N5770_D74Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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