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MRF559G

MRF559G

참조 용

부품 번호 MRF559G
PNEDA 부품 번호 MRF559G
설명 RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,826
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF559G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF559G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
MRF559G, MRF559G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 136.08 KB)
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MRF559G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)16V
주파수-전환870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득9.5dB
전력-최대2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)150mA
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Micro-X ceramic (84C)
공급자 장치 패키지Micro-X ceramic (84C)

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.3V

주파수-전환

12.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

이득

11.8dB

전력-최대

800mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

S-Mini

SD1536-03

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.4dB

전력-최대

292W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M115

공급자 장치 패키지

M115

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

8.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

이득

12dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

10GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

이득

10.2dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

BFP640FE6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4.5V

주파수-전환

40GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

이득

23dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-TSFP

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