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MRF5812G

MRF5812G

참조 용

부품 번호 MRF5812G
PNEDA 부품 번호 MRF5812G
설명 RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5812G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5812G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MRF5812G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
주파수-전환5GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 500MHz
이득13dB ~ 15.5dB
전력-최대1.25W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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1.8dB @ 2GHz

이득

9dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수-전환

2GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

200W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PH3135-20M

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

7.5dB

전력-최대

20W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.4A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BFS 460L6 E6327

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 NPN (Dual)

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5.8V

주파수-전환

22GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

이득

10dB ~ 14.5dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFDFN

공급자 장치 패키지

TSLP-6-1

MS1226

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

36V

주파수-전환

30MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

18dB

전력-최대

80W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

4.5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M113

공급자 장치 패키지

M113

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