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MRF5P21045NR1

MRF5P21045NR1

참조 용

부품 번호 MRF5P21045NR1
PNEDA 부품 번호 MRF5P21045NR1
설명 FET RF 2CH 65V 2.17GHZ TO-270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,618
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5P21045NR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5P21045NR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5P21045NR1, MRF5P21045NR1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 456.46 KB)
PDFMRF5P21045NR1 데이터 시트 표지
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MRF5P21045NR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.11GHz ~ 2.17GHz
이득14.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력10W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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제조업체

NXP USA Inc.

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-

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-

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-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

TO-236AB (SOT23)

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시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.9GHz ~ 3.3GHz

이득

11dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

66A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

215W

전압-정격

60V

패키지 / 케이스

SOM038

공급자 장치 패키지

SOM038

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

500W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

ATF-521P8-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

2GHz

이득

17dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

200mA

전원-출력

26.5dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-LPCC (2x2)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.99GHz

이득

16.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

22W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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