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MRF5S4125NBR1

MRF5S4125NBR1

참조 용

부품 번호 MRF5S4125NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF5S4125NBR1
설명 FET RF 65V 465MHZ TO-272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,470
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF5S4125NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF5S4125NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF5S4125NBR1, MRF5S4125NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 965.73 KB)
PDFMRF5S4125NR1 데이터 시트 표지
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MRF5S4125NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수465MHz
이득23dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력25W
전압-정격65V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

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-

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주파수

1.88GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

200MHz

이득

-

전압-테스트

4V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

PTFA241301F V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.42GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.15A

전원-출력

130W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-31260-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.16GHz

이득

16dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11.5W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-400S

공급자 장치 패키지

NI-400S

2N5950_J35Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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