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MRF6S19060NBR1

MRF6S19060NBR1

참조 용

부품 번호 MRF6S19060NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S19060NBR1
설명 FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,928
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S19060NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S19060NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S19060NBR1, MRF6S19060NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 989.97 KB)
PDFMRF6S19060GNR1 데이터 시트 표지
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MRF6S19060NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.93GHz
이득16dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트610mA
전원-출력12W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

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제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

18.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

55W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

-

MAGX-000035-01000S

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

30MHz ~ 3.5GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

490mA

전원-출력

40dBm

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

22W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

SD57045

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

5A

소음 수치

-

현재-테스트

250mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

M243

공급자 장치 패키지

M243

IXZR16N60

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

350W

전압-정격

600V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

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