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MRF6S19100NBR1

MRF6S19100NBR1

참조 용

부품 번호 MRF6S19100NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S19100NBR1
설명 FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 15 - 4월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S19100NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S19100NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S19100NBR1, MRF6S19100NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 986.24 KB)
PDFMRF6S19100GNR1 데이터 시트 표지
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MRF6S19100NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.99GHz
이득14.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트950mA
전원-출력22W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

관심을 가질만한 제품

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NPT35050AB

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

3.3GHz ~ 3.8GHz

이득

12dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

19.5A

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

6W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BF245C_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.5GHz

이득

14.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

PTFB241402F-V1-R0

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

2.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

120mA

전원-출력

110W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-4

공급자 장치 패키지

H-37248-4

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