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MRF6S21060MR1

MRF6S21060MR1

참조 용

부품 번호 MRF6S21060MR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S21060MR1
설명 FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,592
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 5 - 5월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S21060MR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S21060MR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S21060MR1, MRF6S21060MR1 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,438.41 KB)
PDFMRF6S21060NR1 데이터 시트 표지
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MRF6S21060MR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.12GHz
이득15.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트610mA
전원-출력14W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270-4
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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10µA

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

750W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

NI-1230-4S

공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.84GHz

이득

20.1dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780GS-2L2LA

공급자 장치 패키지

NI-780GS-2L2LA

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1MHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

-

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-360H-2SB

공급자 장치 패키지

NI-360H-2SB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

960MHz

이득

19.4dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

100W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-1230S

공급자 장치 패키지

NI-1230S

ARF468BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

40.68MHz

이득

15dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

22A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

300W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

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