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MRF6S23140HR5

MRF6S23140HR5

참조 용

부품 번호 MRF6S23140HR5
PNEDA 부품 번호 MRF6S23140HR5
설명 FET RF 68V 2.39GHZ NI-880
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S23140HR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S23140HR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S23140HR5, MRF6S23140HR5 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 474.87 KB)
PDFMRF6S23140HSR5 데이터 시트 표지
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MRF6S23140HR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.39GHz
이득15.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력28W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-880
공급자 장치 패키지NI-880

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전원-출력

10W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

PTFB193408SVV1R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.99GHz

이득

19dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.65A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-34275G-6/2

공급자 장치 패키지

H-34275G-6/2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

10mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

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