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MRF6S24140HS

MRF6S24140HS

참조 용

부품 번호 MRF6S24140HS
PNEDA 부품 번호 MRF6S24140HS
설명 FET RF 68V 2.39GHZ NI-880S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,058
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S24140HS 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S24140HS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S24140HS, MRF6S24140HS 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 433.45 KB)
PDFMRF6S24140HS 데이터 시트 표지
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MRF6S24140HS 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.39GHz
이득15.2dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력28W
전압-정격68V
패키지 / 케이스NI-880S
공급자 장치 패키지NI-880S

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

21dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

39W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

RFM04U6P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

470MHz

이득

13.3dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

4.3W

전압-정격

16V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PW-MINI

PTFA081501F V1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

900MHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

150W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-31248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

1MHz ~ 2.7GHz

이득

18dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

-

현재-테스트

350mA

전원-출력

-

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

NI-360H-2SB

공급자 장치 패키지

NI-360H-2SB

LET9120

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

18dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

150W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M246

공급자 장치 패키지

M246

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4610X-101-102LF

4610X-101-102LF

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AD9850BRSZ

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W25Q16JVZPIQ TR

W25Q16JVZPIQ TR

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C0805C102K2GECAUTO

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B160-13-F

B160-13-F

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DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMA