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MRF6S9060MR1

MRF6S9060MR1

참조 용

부품 번호 MRF6S9060MR1
PNEDA 부품 번호 MRF6S9060MR1
설명 FET RF 68V 880MHZ TO-270-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 2,898
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6S9060MR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6S9060MR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6S9060MR1, MRF6S9060MR1 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 848.69 KB)
PDFMRF6S9060NR1 데이터 시트 표지
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MRF6S9060MR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수880MHz
이득21.4dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력14W
전압-정격68V
패키지 / 케이스TO-270-2
공급자 장치 패키지TO-270-2

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

100W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

TO-272BB

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-4

PTRA084808NF-V1-R5

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

734MHz ~ 821MHz

이득

18.2dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

550W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

HBSOF-6-2

공급자 장치 패키지

PG-HBSOF-6-2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

28A

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

ARF446G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

40.68MHz

이득

15dB

전압-테스트

250V

전류 정격 (Amps)

6.5A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

140W

전압-정격

900V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

2SK3078A(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

470MHz

이득

8dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

500mA

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

28dbm

전압-정격

10V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

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