MRF6S9130HR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6S9130HR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6S9130HR5 |
| 설명 | FET RF 68V 880MHZ NI-780 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,496 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6S9130HR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6S9130HR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6S9130HR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 880MHz |
| 이득 | 19.2dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 950mA |
| 전원-출력 | 27W |
| 전압-정격 | 68V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-957A |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780H-2L |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.16GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.6A 전원-출력 38W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 860MHz 이득 22dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 350mA 전원-출력 18W 전압-정격 115V 패키지 / 케이스 TO-272-4 공급자 장치 패키지 TO-272-4 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.4GHz 이득 17.7dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 500mA 전원-출력 1000W 전압-정격 105V 패키지 / 케이스 NI-1230-4S 공급자 장치 패키지 NI-1230-4S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.11GHz ~ 2.17GHz 이득 13dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 2.2A 전원-출력 52W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.88GHz 이득 16dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 800mA 전원-출력 72W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1110B 공급자 장치 패키지 NI1230S-8 |
