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MRF6V10010NR4

MRF6V10010NR4

참조 용

부품 번호 MRF6V10010NR4
PNEDA 부품 번호 MRF6V10010NR4
설명 FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
제조업체 NXP
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V10010NR4 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V10010NR4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V10010NR4, MRF6V10010NR4 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 678.42 KB)
PDFMRF6V10010NR4 데이터 시트 표지
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MRF6V10010NR4 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.09GHz
이득25dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트10mA
전원-출력10W
전압-정격100V
패키지 / 케이스PLD-1.5
공급자 장치 패키지PLD-1.5

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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이득

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8V

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30mA

소음 수치

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현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

12V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

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이득

19.6dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1000W

전압-정격

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

NI-1230-4S

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

40W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-2

공급자 장치 패키지

H-37248-2

PTVA104501EHV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

1.92GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

550mA

전원-출력

37W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

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