MRF6V10250HSR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6V10250HSR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6V10250HSR5 |
| 설명 | FET RF 100V 1.09GHZ NI780S |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,580 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6V10250HSR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6V10250HSR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6V10250HSR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1.09GHz |
| 이득 | 21dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 250mA |
| 전원-출력 | 250W |
| 전압-정격 | 100V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 2.17GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 360mA 전원-출력 28W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780S-4 공급자 장치 패키지 NI-780S-4 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.81GHz ~ 1.88GHz 이득 19.8dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 800mA 전원-출력 35.5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1120B 공급자 장치 패키지 LDMOST |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 3GHz 이득 14.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 30W 전압-정격 84V 패키지 / 케이스 440166 공급자 장치 패키지 440166 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 0Hz ~ 4GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 14A 소음 수치 - 현재-테스트 400mA 전원-출력 55W 전압-정격 84V 패키지 / 케이스 440193 공급자 장치 패키지 440193 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 GaN 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 1.805GHz ~ 2.17GHz 이득 22dB 전압-테스트 48V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 200mA 전원-출력 70W 전압-정격 125V 패키지 / 케이스 H-37265J-2 공급자 장치 패키지 H-37265J-2 |
