MRF6V2150NBR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6V2150NBR5 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6V2150NBR5 |
| 설명 | FET RF 110V 220MHZ TO272-4 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,526 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 29 - 2월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6V2150NBR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6V2150NBR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6V2150NBR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 220MHz |
| 이득 | 25dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 450mA |
| 전원-출력 | 150W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | TO-272BB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-272 WB-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득 13dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.2A 전원-출력 26W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-880S 공급자 장치 패키지 NI-880S |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.17GHz 이득 18.7dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.2A 전원-출력 65W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-780-2S2L 공급자 장치 패키지 NI-780-2S2L |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 HEMT 주파수 3GHz 이득 14dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 100W 전압-정격 150V 패키지 / 케이스 SOT-1228B 공급자 장치 패키지 LDMOST |
제조업체 Broadcom Limited 시리즈 - 트랜지스터 유형 E-pHEMT 주파수 2GHz 이득 17.7dB 전압-테스트 2.7V 전류 정격 (Amps) 100mA 소음 수치 0.6dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 14.4dBm 전압-정격 5V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 SOT-343 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 920MHz 이득 19.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 54W 전압-정격 70V 패키지 / 케이스 OM-780-2 공급자 장치 패키지 OM-780-2 |
