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MRF6V2300NR5

MRF6V2300NR5

참조 용

부품 번호 MRF6V2300NR5
PNEDA 부품 번호 MRF6V2300NR5
설명 FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 17 - 6월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V2300NR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V2300NR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V2300NR5, MRF6V2300NR5 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,252.73 KB)
PDFMRF6V2300NR5 데이터 시트 표지
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MRF6V2300NR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수220MHz
이득25.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력300W
전압-정격110V
패키지 / 케이스TO-270AB
공급자 장치 패키지TO-270 WB-4

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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주파수

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이득

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전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

10W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

PD55025

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

14.5dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

25W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

IXZ316N60

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

880W

전압-정격

600V

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE375

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.51GHz

이득

19.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

23W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

17dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-360S

공급자 장치 패키지

NI-360S

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