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MRF6V4300NBR1

MRF6V4300NBR1

참조 용

부품 번호 MRF6V4300NBR1
PNEDA 부품 번호 MRF6V4300NBR1
설명 FET RF 110V 450MHZ TO-272-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,636
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6V4300NBR1 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6V4300NBR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6V4300NBR1, MRF6V4300NBR1 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 869.92 KB)
PDFMRF6V4300NR5 데이터 시트 표지
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MRF6V4300NBR1 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수450MHz
이득22dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트900mA
전원-출력300W
전압-정격110V
패키지 / 케이스TO-272BB
공급자 장치 패키지TO-272 WB-4

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

28W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-880S

공급자 장치 패키지

NI-880S

BLF6G27-10G,112

Ampleon

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Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.5GHz ~ 2.7GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

3.5A

소음 수치

-

현재-테스트

130mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-975C

공급자 장치 패키지

CDFM2

PD55003STR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Straight Lead)

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

16.5dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

120W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-860

공급자 장치 패키지

NI-860

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.7dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

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