MRF6VP121KHR5
참조 용
| 부품 번호 | MRF6VP121KHR5 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | MRF6VP121KHR5 | ||||||||||||||||||
| 설명 | FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI1230H | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 539 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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MRF6VP121KHR5 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6VP121KHR5 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
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MRF6VP121KHR5 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.03GHz |
| 이득 | 20dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 150mA |
| 전원-출력 | 1000W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS (Dual) 주파수 1.03GHz 이득 20dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 150mA 전원-출력 1000W 전압-정격 110V 패키지 / 케이스 NI-1230-4H 공급자 장치 패키지 NI-1230-4H |
