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MRF6VP121KHR6

MRF6VP121KHR6

참조 용

부품 번호 MRF6VP121KHR6
PNEDA 부품 번호 MRF6VP121KHR6
설명 FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,982
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6VP121KHR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6VP121KHR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6VP121KHR6, MRF6VP121KHR6 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,238.84 KB)
PDFMRF6VP121KHSR6 데이터 시트 표지
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MRF6VP121KHR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.03GHz
이득20dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트150mA
전원-출력1000W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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ON Semiconductor

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이득

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전압-테스트

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현재-테스트

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패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.2GHz ~ 1.4GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

42A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-502A

공급자 장치 패키지

LDMOST

PTFA081501E1V4T500XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BLF245,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

175MHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

2dB

현재-테스트

50mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-123A

공급자 장치 패키지

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