MRF6VP21KHR6
참조 용
| 부품 번호 | MRF6VP21KHR6 |
| PNEDA 부품 번호 | MRF6VP21KHR6 |
| 설명 | FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,586 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MRF6VP21KHR6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF6VP21KHR6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF6VP21KHR6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 225MHz |
| 이득 | 24dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 150mA |
| 전원-출력 | 1000W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel 주파수 175MHz 이득 - 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 40A 소음 수치 - 현재-테스트 250mA 전원-출력 390W 전압-정격 125V 패키지 / 케이스 STAC244F 공급자 장치 패키지 STAC244F |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz ~ 1.99GHz 이득 13.4dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 12A 소음 수치 - 현재-테스트 650mA 전원-출력 100W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-502B 공급자 장치 패키지 SOT502B |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 트랜지스터 유형 N-Channel Dual Gate 주파수 - 이득 21dB 전압-테스트 3.5V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 1.4dB 현재-테스트 10mA 전원-출력 - 전압-정격 6V 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 CMPAK-4 |
제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.8GHz ~ 1.88GHz 이득 19.2dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 13A 소음 수치 - 현재-테스트 360mA 전원-출력 2.5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-608B 공급자 장치 패키지 CDFM2 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.99GHz 이득 15.9dB 전압-테스트 30V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.8A 전원-출력 50W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads 공급자 장치 패키지 H-36260-2 |
