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MRF6VP3450HR6

MRF6VP3450HR6

참조 용

부품 번호 MRF6VP3450HR6
PNEDA 부품 번호 MRF6VP3450HR6
설명 FET RF 2CH 110V 860MHZ NI-1230
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,758
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF6VP3450HR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF6VP3450HR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF6VP3450HR6, MRF6VP3450HR6 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,141.85 KB)
PDFMRF6VP3450HSR6 데이터 시트 표지
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MRF6VP3450HR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수860MHz
이득22.5dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력90W
전압-정격110V
패키지 / 케이스NI-1230
공급자 장치 패키지NI-1230

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주파수

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이득

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전압-테스트

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전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

-

전압-정격

120V

패키지 / 케이스

440166

공급자 장치 패키지

440166

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

520MHz

이득

15dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

PTFC262808SVV1XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

ATF-501P8-TR2

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

E-pHEMT

주파수

2GHz

이득

15dB

전압-테스트

4.5V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

1dB

현재-테스트

280mA

전원-출력

29dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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