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MRF7S18125AHR5

MRF7S18125AHR5

참조 용

부품 번호 MRF7S18125AHR5
PNEDA 부품 번호 MRF7S18125AHR5
설명 FET RF 65V 1.88GHZ NI780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,534
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S18125AHR5 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S18125AHR5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S18125AHR5, MRF7S18125AHR5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 521.65 KB)
PDFMRF7S18125AHSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S18125AHR5 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.88GHz
이득17dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.1A
전원-출력125W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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28V

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소음 수치

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400mA

전원-출력

45W

전압-정격

80V

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시리즈

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트랜지스터 유형

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주파수

108MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1223-2

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.88GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

1µA

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-36248-2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

700MHz ~ 2.2GHz

이득

27dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

110mA

전원-출력

2W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-HVSON (6x5)

BLP10H603Z

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

860MHz

이득

22.8dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

15mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

104V

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

12-HVSON (6x5)

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