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MRF7S21210HR3

MRF7S21210HR3

참조 용

부품 번호 MRF7S21210HR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S21210HR3
설명 FET RF 65V 2.17GHZ NI-780
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,382
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 1 - 3월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S21210HR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S21210HR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S21210HR3, MRF7S21210HR3 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 984.52 KB)
PDFMRF7S21210HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S21210HR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득18.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.4A
전원-출력63W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-957A
공급자 장치 패키지NI-780H-2L

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이득

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전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.2A

전원-출력

32W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads, Flanged

공급자 장치 패키지

H-34288-4/2

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

3.1GHz

이득

13dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

400W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

900MHz

이득

17.2dB

전압-테스트

4V

전류 정격 (Amps)

300mA

소음 수치

0.8dB

현재-테스트

135mA

전원-출력

21.7dBm

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

SOT-89-3

PTFA092211ELV4R250XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

940MHz

이득

18dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.75A

전원-출력

220W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

H-33288-2

PXAC241702FC-V1-R250

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.4GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

360mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

H-37248-4

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