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MRF7S35015HSR3

MRF7S35015HSR3

참조 용

부품 번호 MRF7S35015HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF7S35015HSR3
설명 FET RF 65V 3.5GHZ NI-400S-240
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,798
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 19 - 4월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF7S35015HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF7S35015HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF7S35015HSR3, MRF7S35015HSR3 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 863.14 KB)
PDFMRF7S35015HSR5 데이터 시트 표지
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MRF7S35015HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수3.1GHz ~ 3.5GHz
이득16dB
전압-테스트32V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트50mA
전원-출력15W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-400S-2S
공급자 장치 패키지NI-400S-2S

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현재-테스트

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전원-출력

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트랜지스터 유형

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주파수

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이득

16dB

전압-테스트

150V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

150W

전압-정격

1000V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

T3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

1.99GHz

이득

18.2dB

전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

74W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1110B

공급자 장치 패키지

NI1230S-8

PD57018TR-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

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이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

18W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

공급자 장치 패키지

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PTFA240451E V1 R250

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

GOLDMOS®

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.48GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

45W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

2-Flatpack, Fin Leads

공급자 장치 패키지

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