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MRF8372G

MRF8372G

참조 용

부품 번호 MRF8372G
PNEDA 부품 번호 MRF8372G
설명 RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,984
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8372G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8372G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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MRF8372G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)16V
주파수-전환870MHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득8dB ~ 9.5dB
전력-최대2.2W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce30 @ 50mA, 5V
전류-수집기 (Ic) (최대)200mA
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Microsemi

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-

트랜지스터 유형

NPN

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65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

5.6dB

전력-최대

1350W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M112

공급자 장치 패키지

M112

1214-110M

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

75V

주파수-전환

1.2GHz ~ 1.4GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

7.4dB

전력-최대

270W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55KT

공급자 장치 패키지

55KT

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

이득

9dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

SD1057-01H

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

PN3563

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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