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MRF8372MR1

MRF8372MR1

참조 용

부품 번호 MRF8372MR1
PNEDA 부품 번호 MRF8372MR1
설명 TRANS NPN 16V 200MA
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,652
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8372MR1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8372MR1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • MRF8372MR1 Distributor

MRF8372MR1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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이득

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전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 6V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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SOT-23

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2.25V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz

이득

13.5dB ~ 24.5dB

전력-최대

125mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 15mA, 1.8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

SOT-343

BFP840FESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

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주파수-전환

85GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

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이득

35dB

전력-최대

75mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

4-TSFP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

75V

주파수-전환

3.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8dB

전력-최대

80W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-422A

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

이득

16dB

전력-최대

205mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

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Surface Mount

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