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MRF8P18265HR6

MRF8P18265HR6

참조 용

부품 번호 MRF8P18265HR6
PNEDA 부품 번호 MRF8P18265HR6
설명 FET RF 2CH 65V 1.88GHZ NI1230-8
제조업체 NXP
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P18265HR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P18265HR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8P18265HR6, MRF8P18265HR6 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 661.2 KB)
PDFMRF8P18265HSR6 데이터 시트 표지
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MRF8P18265HR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.88GHz
이득16dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트800mA
전원-출력72W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1110A
공급자 장치 패키지NI1230-8

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소음 수치

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이득

27.2dB

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소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

300W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

BLF3G22-30,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

12A

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

6W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-608A

공급자 장치 패키지

CDFM2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz

이득

16.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.1A

전원-출력

125W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

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