MRF8P20161HSR3
참조 용
| 부품 번호 | MRF8P20161HSR3 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | MRF8P20161HSR3 | ||||||||||||||||||
| 설명 | FET RF 2CH 65V 1.92GHZ NI-780S | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,367 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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MRF8P20161HSR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MRF8P20161HSR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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MRF8P20161HSR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 1.92GHz |
| 이득 | 16.4dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 550mA |
| 전원-출력 | 37W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-780S-4 |
| 공급자 장치 패키지 | NI-780S-4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source 주파수 175MHz 이득 16dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 36A 소음 수치 - 현재-테스트 500mA 전원-출력 300W 전압-정격 170V 패키지 / 케이스 4-SMD 공급자 장치 패키지 M208 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 * 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
