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MRF8P26080HSR3

MRF8P26080HSR3

참조 용

부품 번호 MRF8P26080HSR3
PNEDA 부품 번호 MRF8P26080HSR3
설명 FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,526
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 26 - 1월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P26080HSR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P26080HSR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRF8P26080HSR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.62GHz
이득15dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트300mA
전원-출력14W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

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NXP USA Inc.

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14.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

850mA

전원-출력

19W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

21.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

58W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

4GHz

이득

16dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

97mA

소음 수치

0.45dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

11dBm

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

M04

VRF151G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

주파수

175MHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

36A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

300W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

4-SMD

공급자 장치 패키지

M208

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.81GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-880

공급자 장치 패키지

NI-880

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