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MRF8P8300HSR6

MRF8P8300HSR6

참조 용

부품 번호 MRF8P8300HSR6
PNEDA 부품 번호 MRF8P8300HSR6
설명 FET RF 2CH 70V 820MHZ NI1230S
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,888
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 2 - 3월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8P8300HSR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8P8300HSR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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MRF8P8300HSR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수820MHz
이득20.9dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트2A
전원-출력96W
전압-정격70V
패키지 / 케이스NI-1230S
공급자 장치 패키지NI-1230S

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제조업체

Ampleon USA Inc.

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주파수

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전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

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전원-출력

4W

전압-정격

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MRF372R5

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

주파수

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이득

17dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

17A

소음 수치

-

현재-테스트

800mA

전원-출력

180W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-860C3

공급자 장치 패키지

NI-860C3

BF245C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

25mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.3GHz

이득

14.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

66W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-1230-4LS2L

공급자 장치 패키지

NI-1230-4LS2L

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