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MRF8S19260HR6

MRF8S19260HR6

참조 용

부품 번호 MRF8S19260HR6
PNEDA 부품 번호 MRF8S19260HR6
설명 FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230-8
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 7,380
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 12 - 3월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S19260HR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S19260HR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S19260HR6, MRF8S19260HR6 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 554.91 KB)
PDFMRF8S19260HSR6 데이터 시트 표지
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MRF8S19260HR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.99GHz
이득18.2dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력74W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1110A
공급자 장치 패키지NI1230-8

관심을 가질만한 제품

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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주파수

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30dB

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5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1dB

현재-테스트

18mA

전원-출력

-

전압-정격

6V

패키지 / 케이스

SC-82A, SOT-343

공급자 장치 패키지

CMPAK-4

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.14GHz

이득

17.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

970mA

전원-출력

34W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.7GHz ~ 3.1GHz

이득

13dB

전압-테스트

32V

전류 정격 (Amps)

4µA

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

전원-출력

400W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.03GHz

이득

19.7dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

500W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

SD57030

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

15dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

4A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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