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MRF8S19260HSR6

MRF8S19260HSR6

참조 용

부품 번호 MRF8S19260HSR6
PNEDA 부품 번호 MRF8S19260HSR6
설명 FET RF 2CH 65V 1.99GHZ NI1230S-8
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,698
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S19260HSR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S19260HSR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S19260HSR6, MRF8S19260HSR6 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 554.91 KB)
PDFMRF8S19260HSR6 데이터 시트 표지
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MRF8S19260HSR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.99GHz
이득18.2dB
전압-테스트30V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.6A
전원-출력74W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-1110B
공급자 장치 패키지NI1230S-8

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NXP USA Inc.

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전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

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소음 수치

-

현재-테스트

224mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1223-1

공급자 장치 패키지

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

10mA

전원-출력

12W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-975C

공급자 장치 패키지

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

0Hz ~ 6GHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

4.2A

소음 수치

-

현재-테스트

150mA

전원-출력

30W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440166

공급자 장치 패키지

440166

ATF-36163-TR2G

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

4GHz

이득

15.8dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

40mA

소음 수치

0.6dB

현재-테스트

15mA

전원-출력

5dBm

전압-정격

3V

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

520MHz

이득

15dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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