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MRF8S7170NR3

MRF8S7170NR3

참조 용

부품 번호 MRF8S7170NR3
PNEDA 부품 번호 MRF8S7170NR3
설명 FET RF 70V 748MHZ OM780-2
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,454
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MRF8S7170NR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MRF8S7170NR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
MRF8S7170NR3, MRF8S7170NR3 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 367.13 KB)
PDFMRF8S7170NR3 데이터 시트 표지
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MRF8S7170NR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수748MHz
이득19.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.2A
전원-출력50W
전압-정격70V
패키지 / 케이스OM-780-2
공급자 장치 패키지OM-780-2

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

700MHz ~ 1.3GHz

이득

19.2dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

350W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

OM-780-4L

공급자 장치 패키지

OM-780-4L

IXZR08N120A-00

IXYS-RF

제조업체

IXYS-RF

시리즈

Z-MOS™

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

8A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

250W

전압-정격

1200V

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

13.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1A

전원-출력

19W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

PD57060-E

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

945MHz

이득

14.3dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

7A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

공급자 장치 패키지

10-PowerSO

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.93GHz ~ 1.99GHz

이득

17.9dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

56W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

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